NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V - BUH517-ST

NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V - BUH517-ST. NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 6. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (Typ): 190 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 07:25.