NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V - BDX33C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V - BDX33C. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 15:25.