Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V - BC637

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V - BC637
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NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V - BC637. NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. C(in): 50pF. Kosten): 7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640
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