NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5149

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5149. NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: schnelle Bedienung, für horizontale Ablenkung (TV). Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5149. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: „Triple Diffused MESA Type“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 16:25.