NPN-Transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5148

NPN-Transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5148. NPN-Transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.