FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IDSS (max): 60mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 11pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6W. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V

P-Kanal-Transistor, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. IDSS (max): 20mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6Y. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6Y. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -20mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -500V, -2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTP2P50EG. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1183pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -30V, -50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M50P03HDLG. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 117 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -20V, -24A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDP6020P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1590pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. IDSS (max): 200uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 79pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter, Zellendesign mit hoher Dichte für niedrigen RDS(ON). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 610. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 610. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 195pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDS352APRL. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 135pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 2. Funktion: Dualer 60-V-P- und P-Kanal. Id(imp): 10A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: 2xP-CH 60V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDT452AP. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDT456P. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20P06LG. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NT2955G. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 750pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 55W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 36A/10ms. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, SO, SOP-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: 27.5 & 34m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 690pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 125us. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D8P05. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 20A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F, 630V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 630V. C(in): 1250pF. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: P. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 200A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

P-Kanal-Transistor, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT6. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 780pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TM. Anzahl der Terminals: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 65m Ohms. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.6mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 4.4A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3.3A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET

P-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 200V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F)

P-Kanal-Transistor, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. IDSS (max): 3.4A. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.6A. Hinweis: On 13ns, Off 40ns. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F