P-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F, 630V - RJP63F4A

P-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F, 630V - RJP63F4A. P-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F, 630V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 630V. C(in): 1250pF. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: P. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 200A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.