P-Kanal-Transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - MMBFJ175

P-Kanal-Transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - MMBFJ175. P-Kanal-Transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IDSS (max): 60mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 11pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6W. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6W. Konditionierungseinheit: 3000. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 01:25.