P-Kanal-Transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610

P-Kanal-Transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610. P-Kanal-Transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. IDSS (max): 200uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 79pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter, Zellendesign mit hoher Dichte für niedrigen RDS(ON). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 610. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 610. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.