FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 380pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 380pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: N7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: N9. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 210pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M5. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 715pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 595pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -20V, -4.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.0V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 71 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1020pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1225pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: O4. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1275pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. IDSS (max): 5nA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Spannung Vds(max): 20V. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 1.95A. IDss (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V

P-Kanal-Transistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 35ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.1A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4431BDY-T1-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4431CDY-T1-GE3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1006pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 8.8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET

P-Kanal-Transistor, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 2. Trr-Diode (Min.): 60 ns. G-S-Schutz: NINCS. ID (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

P-Kanal-Transistor, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 7.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 2. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 45ns. ID (T=100°C): 5.9A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

P-Kanal-Transistor, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, 60V, 3.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4948BEY-T1-GE3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: V-MOS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9953DY. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60us. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 35.2A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V