FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9024N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9024N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR9024PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 5.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3.6A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET

P-Kanal-Transistor, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9120N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 200V. C(in): 340pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR9220PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L5602S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 75pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 510pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 350 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 88pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 97pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 633pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 350 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 588 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 633pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/6. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: 2E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1079pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2560pF. Kosten): 210pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 33A. Hinweis: Isolierkoffer. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

P-Kanal-Transistor, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 12pF. Kosten): 2210pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 270A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 890W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, -30V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J175. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -50mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. IDSS (max): 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: VGS(off) 1V...4V. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Einschaltwiderstand Rds On: 250 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: P-Channel Switch. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IDSS (max): 5mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 5pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6E. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: J-FET-Verstärker. Gate/Source-Spannung Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V

P-Kanal-Transistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IDSS (max): 9mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 5pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 61U. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 61U. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: J-FET-Verstärker. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V