Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N5458

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2N5458. C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
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MMBF5458

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C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 61 S. Pd (Verlustleistung, max): 2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 61S. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
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