Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N5459. C(in): 2250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 53 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 4mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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