Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N6491

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2N6491. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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BD912-ST

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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, m...
BD912-ST
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD912-ST
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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