Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SOD-80. Hinweis: SI-Z SMD. Teilung: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 4.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Hinweis: SI-Z SMD. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2014/45. Hinweis: SI-Z SMD. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 6.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Produktionsdatum: 2014/44. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 7.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80. Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 3.4x1.6mm. Hinweis: SI-Z SMD. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VRRM: 9.1V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 3W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 8.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 16V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 13V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 150uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 80mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 22V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 16V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 18V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.0V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 80mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 60mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C