Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 3V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4.5 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 62V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 44V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4.5 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %

Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Zenerspannung: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Äquivalente: Diotec ZYP100. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 2.6x4.8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO35. Zenerspannung: 29V. Funktion: Z-IC. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30..32V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 12 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -20°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO35. Zenerspannung: 33V. Funktion: Z-IC. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 32V. Hinweis: -ITT. Hinweis: temperaturkompensiert

Vorwärtsstrom (AV): 10.5mA. Toleranz: 5%. VRRM: 36V

Vorwärtsstrom (AV): 40mA. Toleranz: 5%. VRRM: 27V

Vorwärtsstrom (AV): 22mA. Toleranz: 5%. VRRM: 47V

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Toleranz: 5%. VRRM: 51V

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Toleranz: 5%. VRRM: 8.2V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 10V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. VRRM: 10V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 100V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 110V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 110V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 12V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 120V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 130V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 130V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 15V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 150V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z150. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 150V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 160V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 18V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 180V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 180V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie