Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 22V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 24V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 27V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. VRRM: 27V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 30 v. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 33V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 33V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 47V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 47V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 5.6V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 6.2V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 6.2V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 6.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 62V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 62V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 68V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 7.5V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 8.2V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. VRRM: 8.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 82V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 9.1V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation