Zenerdioden

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 75V

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 3.3V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 4.7V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 5.1V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 5.6V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 7.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 28mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1W (25°C), 5%

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 10V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Zenerspannung: 11V. Gehäuse: DO-41. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1W

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1W (25°C), 5%

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 15V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 24V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 27V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 27V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 8.7V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 11V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 17V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 19V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 25V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 28V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. Vorwärtsstrom (AV): 300mA. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 3.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Überspannungsleistung von bis zu 180 W bei 8,3 ms

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.6V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 150uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 350mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 3.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 50uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 320mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Zenerspannung: 4.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Zenerspannung: 5.1V. Anzahl der Terminals: 2