Zenerdioden

Zenerspannung: 8.2V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1.3W

Pd (Verlustleistung, max): 0.34mW. Gehäuse (laut Datenblatt): Metallgehäuse. Zenerspannung: 11.5...14V. Funktion: Zenerdiode. Ausrichtung der Terminals: axial

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOC6. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.4..11.05V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100nA @ 7V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Spannung: 6V

Spannung: 6V

Spannung: 12V

Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Zenerspannung: 33V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Zenerspannung: 56V. Gehäuse: DO-41. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 1W

Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Zenerspannung: 9.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: -MAT. Hinweis: MA4100M. VRRM: 10V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 225 mW. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-123. Zenerspannung: 1.8V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode, 0,5 W, 5 %. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7.6V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1.0V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Zenerspannung: 3V. Gehäuse: DO-35. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 0.5W

Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23. Zenerspannung: 22V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Zenerspannung: 9.1V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 22V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 0.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C