Zenerdioden

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 4V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 3.5 Ohms @ 35mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 8.2V. Leistung: 1.3W. Gehäuse: DO-41

Funktion: Zenerdiode. Ausrichtung der Terminals: axial. Pd (Verlustleistung, max): 0.34mW. Gehäuse (laut Datenblatt): Metallgehäuse. Zenerspannung: 11.5...14V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOC6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.4..11.05V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100nA @ 7V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Spannung: 6V

Spannung: 6V

Spannung: 12V

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Zenerspannung: 33V

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 56V. Leistung: 1W. Gehäuse: DO-41

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Zenerspannung: 9.1V

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.37W. VRRM: 10V. Hinweis: -MAT. Hinweis: MA4100M

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, SMD-Montage, max, 225 mW. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-123. Toleranz: 5%. Zenerspannung: 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenerdiode, 0,5 W, 5 %

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1.0V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 3V. Leistung: 0.5W. Gehäuse: DO-35

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23. Zenerspannung: 22V. Anzahl der Terminals: 3

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Zenerspannung: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 22V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 0.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C