Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 2W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 10V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SOD-80. Hinweis: SI-Z SMD. Teilung: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 12V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Produktionsdatum: 2014/50. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 13V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 18V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 22V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD-Z. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 24V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2015/05. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 2.4V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 2.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SI-Z SMD. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 2.7V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 30 v. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Hinweis: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Zenerspannung: 36V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Hinweis: SI-Z SMD. Abmessungen: 3.4x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Hinweis: SI-Z SMD. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 4uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2012/48. MRT (maximal): 40uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 3.9V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. VRRM: 3.9V