Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFI630G

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IRFI630G. C(in): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFI630G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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IRFS630A

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C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode...
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C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
IRFS630A
C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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