Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFIBC20G

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IRFIBC20G. C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 14:25.

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