IRFD9110PBF

IRFD9110PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9110PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.2 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 14:25.