Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSN20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 250pF. Kosten): 88pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 8.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP125. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP135. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 146pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP171P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 276 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP250.115. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 80 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP295. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 368pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP297. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP316. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Äquivalente: ISP452. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AS3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BSP50. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP62. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP89. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP92P. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 101 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 104pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 60 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Tr: 25 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code U8. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Kollektorstrom: 0.8A. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code T8. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 90pF. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AR4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 1000 ns. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Tr: 250 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code AR4. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSS110. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.63W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SAs . Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 20.9pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 40pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C