BFP193E6327

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.42€	0.50€
10 - 24	0.40€	0.48€
25 - 49	0.38€	0.45€
50 - 68	0.36€	0.43€

Menge	U.P
1 - 9	0.42€	0.50€
10 - 24	0.40€	0.48€
25 - 49	0.38€	0.45€
50 - 68	0.36€	0.43€

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Menge auf Lager : 68

Set mit 1

BFP193E6327. C(in): 0.9pF. Kosten): 0.28pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 80mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RCs. Pd (Verlustleistung, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/SMD-Code-RCs. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Per E-Mail

Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!