Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.95€ | 3.51€ |
5 - 9 | 2.80€ | 3.33€ |
10 - 24 | 2.66€ | 3.17€ |
25 - 49 | 2.51€ | 2.99€ |
50 - 99 | 2.45€ | 2.92€ |
100 - 143 | 2.30€ | 2.74€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.95€ | 3.51€ |
5 - 9 | 2.80€ | 3.33€ |
10 - 24 | 2.66€ | 3.17€ |
25 - 49 | 2.51€ | 2.99€ |
50 - 99 | 2.45€ | 2.92€ |
100 - 143 | 2.30€ | 2.74€ |
BFG591. Kosten): 0.7pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: Für VHF/UHF-Antennenverstärker und HF-Kommunikationsanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 200mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 3V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 14:25.
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