Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60
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N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60. N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 11 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 17/06/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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STP20NM60FD

STP20NM60FD

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T...
STP20NM60FD
N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
STP20NM60FD
N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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SPP20N60C3

SPP20N60C3

N-Kanal-Transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A....
SPP20N60C3
N-Kanal-Transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO220-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V
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SPP20N60S5

SPP20N60S5

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°...
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N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 650V. RoHS: ja. C(in): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60S5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V
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N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 650V. RoHS: ja. C(in): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60S5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V
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