IRFB20N50K

IRFB20N50K. C(in): 2870pF. Kosten): 3480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.