Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 0.74€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.65€ | 0.77€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.75€ |
250+ | 0.61€ | 0.73€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.74€ | 0.88€ |
5 - 9 | 0.70€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.68€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.65€ | 0.77€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.75€ |
250+ | 0.61€ | 0.73€ |
N-Kanal-Transistor, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST. N-Kanal-Transistor, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 530pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NO. Id(imp): 22A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: V-MOS. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/06/2025, 09:25.
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