IRLR3705ZPBF

IRLR3705ZPBF. C(in): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 21ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.