Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

ES1G

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ES1G. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1G SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1J SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage
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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1J SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage
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