Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 34L. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 34L. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. Äquivalente: SS36-E3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ->l<-. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--50A10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ->l<-. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--80A10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 50uA..4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Vorwärtsstrom [A]: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 75A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 6mA...15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 10A/diode. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. Hinweis: IFSM--250Ap. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 4.5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Isolationsspannung 2000 VDC, Kapazität 45 pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.56V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 4.5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.56V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Leistungs-Schottky-Gleichrichterdiode, geringer Spannungsabfall. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code GD4. MRT (maximal): 80mA. MRT (min): 220uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GD4. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.39V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 220A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 11mA. MRT (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.64V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 4.5mA. MRT (min): 3.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5H100. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 75App/10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Leistungs-Schottky-Gleichrichter. MRT (maximal): 0.75mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 150App / 10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 270A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 170V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. Hinweis: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.97V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: „Hochspannungs-Schottky“. Hinweis: 250App/10ms. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 55A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-fast diode. MRT (maximal): 0.75mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 45A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Diode, Hochspannung. MRT (maximal): 0.3mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.35V

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast recovery - high voltage diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH1210D. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP. VRRM: 300V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Duale ultraschnelle Hochspannungs-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V