Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

VRRM: 100V. Gehäuse: DO-201. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.6mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 125Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.67V

Gehäuse: DO201. VRRM: 60V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 5A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.55V / 5A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 50uA / 60V. Information: 3rd Gen. Serie: SB5. MSL: n/a

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: SMPS DIODE. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Schottky-Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

VRRM: 45V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 25A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Montageart: THT. Information: 3rd Gen

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: P-600. Gehäuse (laut Datenblatt): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.3mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.42V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Gehäuse: DO213AA (MiniMELF). VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.82V / 1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 100V. Serie: SGL

Gehäuse: DO213AA (MiniMELF). VRRM: 40V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.53V / 2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 40uA / 40V. Information: 3rd Gen. Serie: SGL

Gehäuse: DO214AC (SMA). VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.85V / 1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 100V. Serie: SK

Gehäuse: DO214AC (SMA). VRRM: 50V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.70V / 1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 40V. Serie: SK

Gehäuse: DO214AA (SMB). VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.85V / 2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 100V. Serie: SK

Gehäuse: DO214AA (SMB). VRRM: 40V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.50V / 2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 40V. Serie: SK

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK24A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK26A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Gehäuse: DO214AC (SMA). VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 63.4k Ohms. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 80uA / 100V. Serie: SK

Gehäuse: DO214AB (SMC). VRRM: 40V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.50V / 3A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 40V. Serie: SK