Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 50App/8.3ms. Hinweis: Vf 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 50App/8.3ms. Hinweis: Vf 0.70V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom (RMS): 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 1mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.70V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 150Ap / 8.3ms. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Halbleitermaterial: Sb. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: RMS Rew--42V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5100. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 120Ap / 8.3ms. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Halbleitermaterial: Sb. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Anzahl der Terminals: 2

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): SMA. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34B. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-123. VRRM: 40V. Gehäuse (laut Datenblatt): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Cj: 152pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 34L. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 34L. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS36. Äquivalente: SS36-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 200uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS54. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ->l<-. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--50A10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ->l<-. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--80A10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 50uA..4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Vorwärtsstrom [A]: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 75A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 6mA...15mA

Vorwärtsstrom (AV): 10A/diode. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 4.5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.56V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: IFSM--250Ap. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Isolationsspannung 2000 VDC, Kapazität 45 pF

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 4.5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.56V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS