Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Anzahl der Terminals: 2

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Leistungs-Schottky-Gleichrichterdiode, geringer Spannungsabfall. MRT (maximal): 80mA. MRT (min): 220uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GD4. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.39V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 220A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 11mA. MRT (min): 200uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 0.64V. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 4.5mA. MRT (min): 3.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5H100. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. Spec info: 75App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Leistungs-Schottky-Gleichrichter. MRT (maximal): 0.75mA. MRT (min): 0.2mA. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 150App / 10ms

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 270A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 170V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.97V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: „Hochspannungs-Schottky“. Hinweis: 250App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 55A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-fast diode. MRT (maximal): 0.75mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 45A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 0.3mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.35V. Spec info: IFSM--45Ap. Funktion: Ultraschnelle Diode, Hochspannung

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast recovery - high voltage diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH1210D. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP. VRRM: 300V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Funktion: Duale ultraschnelle Hochspannungs-Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: AXIAL TURBO 2 DIODE. Produktionsdatum: 201506. MRT (maximal): 12uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Gehäuse: DO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-247. Hinweis: 2500-V-Isolierung. Hinweis: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Hinweis: Hochspannungsdiode, ultraschnelle Wiederherstellung

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Gehäuse: TO-247. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 330A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 200V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH802. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (min, 17 ns, max, 30 ns). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap