Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK26A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 100A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.75V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 500uA..20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Anderer Name: SK510C. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK510. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123FL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 22A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.55V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 200uA..2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 165A. IFSM: 2500A. Gehäuse: DO-205. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-205. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Leistungsgleichrichter. Hinweis: M12-Gewinde, 8,2 mm Öse. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: Gewindegehäuse Anode, (hoher Strom). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -40...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.9V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Vf 0.55V. Hinweis: 50App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Vf 0.70V. Hinweis: 50App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom (RMS): 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 50App / 8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.70V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 150Ap / 8.3ms. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: RMS Rew--42V. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 120Ap / 8.3ms. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Halbleitermaterial: Sb. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5200. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. RoHS: ja. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): SMA. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.4mA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34B. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V