Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF840. C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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