NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V - 2SB1560-SKN

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V - 2SB1560-SKN. NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.