Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A

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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A. NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 16:25.

Technische Dokumentation

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NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V
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