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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V - BD242C

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V - BD242C
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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V - BD242C. NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD241C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.

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