Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A - BD140

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A - BD140
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A - BD140. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 15:25.

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NPN-Transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 3A
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