Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD140

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD140. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.

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NPN-Transistor, TO-126, 80V, 1.5A, -80V, -1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektorstrom: -1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Herstellerkennzeichnung: BD140-16. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 12.5W. Max Frequenz: 50MHz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139-16
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