Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940. NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2073. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PNP-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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