NPN-Transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V

NPN-Transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
0.60€
5-49
0.51€
50-99
0.44€
100-199
0.38€
200+
0.31€
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NPN-Transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 4.87k Ohms. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.5A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 4.87k Ohms. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. FT: 10 MHz. Funktion: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJE340. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A]: 0.5A. 500mA. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konditionierung: -. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 20W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Polarität: bipolar. RoHS: nein. Serie: MJE340. Spannung (Sammler - Emitter): 4.87k Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Strom max 1: 0.5A. Transistortyp: Darlington-Transistor. Typ: Switching. VCBO: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 11/12/2025, 03:00

Technische Dokumentation (PDF)
MJE340
41 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
4.87k Ohms
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorstrom
0.5A
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
4.87k Ohms
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
30
FT
10 MHz
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-126
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
MJE340
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
300V
Kollektorstrom Ic [A]
0.5A
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
20W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Polarität
bipolar
RoHS
nein
Serie
MJE340
Spannung (Sammler - Emitter)
4.87k Ohms
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE350
Strom max 1
0.5A
Transistortyp
Darlington-Transistor
Typ
Switching
VCBO
300V
Vebo
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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