Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
4.87k Ohms
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Collector-Base-Spannung VCBO
4.87k Ohms
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
30
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-126
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
MJE340
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
300V
Kollektorstrom Ic [A]
0.5A
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Spannung (Sammler - Emitter)
4.87k Ohms
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE350
Transistortyp
Darlington-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil