Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V - 2N5401. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: 2N5401. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 10:25.

Technische Dokumentation

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MMBT5401

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NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2L. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2 L. Äquivalente: MMBT5401LT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Spec info: Siebdruck/SMD-Code (2Lx Date Code). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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