Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SA965. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-Prozess. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 0.8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2235-Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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