NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 28pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 96. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.45W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13005A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 50. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 15...28. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ST13009L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: ST13009L. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. Kosten): 122pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N83003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN93003. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 215pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HIGH SWITCH. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Spec info: High-Speed. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schalten, Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP107. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, 2A, 60V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: >1000. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, 80V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: >1000. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: TO-220. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP120. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, TO-220, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 200pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Transistor. C(in): 65W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP132. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Kosten): 60pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, TO-247, 15A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP2955. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 24. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP32C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 25A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP35CG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP42C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100V, 6A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz