NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V - TIP122G

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V - TIP122G. NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): 200pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.