NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2L. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1. Äquivalente: MMBT5551LT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code G1 (3S Fairchild). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1GM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1GM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: 1D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1D. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 5mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 3EM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 650 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y1. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8E. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8K. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.246W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP & NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA42. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. Kosten): 300pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA06. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, 30 v. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(min): 125 MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 45V, 0.2A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Max Frequenz: 100 MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 1000. Anwendungen: Audio

NPN-Transistor, TO92, 4.87k Ohms. Gehäuse: TO92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 4.87k Ohms. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: NPN. Leistung: 0.625W. Collector-Base-Spannung VCBO: 4.87k Ohms. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 50MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Strom max 1: 0.5A. Serie: MPSA

NPN-Transistor, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Kollektorstrom: 0.3A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Äquivalente: KSP44, CMPSA44. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 5mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSH10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 650 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 25...40. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. FT: 100 MHz. Funktion: High hFE. Maximaler hFE-Gewinn: 150000. Minimaler hFE-Gewinn: 25000. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V

NPN-Transistor, 28V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 28V. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Anwendungen: RF-POWER