NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Hinweis: Panasonic NV-SD450. Hinweis: B1GBCFLL0035. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. C(in): 9pF. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. C(in): 9pF. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Produktionsdatum: 201452 201512. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW1302. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, 60V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. Kosten): 135pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hergestellt für Grundig. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 600mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 6.2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) PBSS4041PX. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6F. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 220 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 35mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *08. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P08/T08. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NPN-Schalttransistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: 130.41594. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V

NPN-Transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P1J, T1J. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 15V

NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 19pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 80...450. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 240...600. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 75pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweckverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-363, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-363. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Paar NPN- und PNP-Transistoren. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: D*2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DTR.. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XJ. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, ITO-218, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: S2000N. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1500V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247-T. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Anwendungen: Umschalten. Leistung: 50W. Eingebaute Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 160V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 160V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 400V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V, 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: s1D. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code S1D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärker, SMD-Version von MPSA42. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) SMBTA92

NPN-Transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S8050 C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V