NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8E. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A8K. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.246W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: Paar komplementärer Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP & NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA42. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. Kosten): 300pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA06. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, 30 v. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(min): 125 MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Äquivalente: KSP42. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA92. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Kollektorstrom: 0.3A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (ammo pak). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Äquivalente: KSP44, CMPSA44. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 5mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSH10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 650 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 25...40. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. FT: 100 MHz. Funktion: High hFE. Maximaler hFE-Gewinn: 150000. Minimaler hFE-Gewinn: 25000. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Hinweis: Panasonic NV-SD450. Hinweis: B1GBCFLL0035. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. C(in): 9pF. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. C(in): 9pF. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Produktionsdatum: 201452 201512. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW1302. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, 60V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. Kosten): 135pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hergestellt für Grundig. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 600mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 6.2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) PBSS4041PX. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6F. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 220 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 35mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *08. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P08/T08. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NPN-Schalttransistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: 130.41594. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V

NPN-Transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P1J, T1J. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 15V