Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275. NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN
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