NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V - MUN2212

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V - MUN2212. NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Hinweis: Panasonic NV-SD450. Hinweis: B1GBCFLL0035. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 02:25.