NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 30A - MJ11016G

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 30A - MJ11016G. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11016G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.